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产品信息
2N7002N通道垂直D-MOS晶体管
特征：
· 直接连接到C-MOS ,TTL,等等
· 高速切换
· 没有二次故障
描述：
· N通道增强模式
· 垂直D-MOS晶体管在SOT-23信封，它被设计用作一个表面贴装器件（SMD）in薄膜和厚膜电路应用于继电器，高速和高速线变压器驱动器
笔记：
1.安装在测量10的陶瓷基片上 x8x0.7毫米
2.安装在印刷电路板上
热阻：
| 符号 | 参数 | 条件 | 值 | 单元 |
| R th ja | 从交界到环境 |
注1 笔记2 |
430 500 |
k/w k/w |
特性：
Tj=25℃除非另有规定
| 符号 | 参数 | 条件 | MIN | TYP | MAX | 单元 |
| V （BR）DSS | 漏源击穿电压 |
我D=10 V GS=0 |
60 | 90 | - | V |
| 我 DSS | 漏源漏电流 |
V DS=48V V GS=0 |
- |
|
1 | - |
| ±I GSS | 门源漏电流 |
V DS=0 ±V GS=15V |
- |
|
10 | nA的 |
| V GS （th） | 栅极-源极阈值电压 |
我 D=1 毫安 V GS= V DS |
0.8 | - | 3V |
|
| RDS（上） | 漏源导通电阻 |
我 D =500毫安 V GS =10V -------------------- 我D =75 毫安 V GS =4.5V |
- |
3.5 ------
|
五 --------- 5.3 |
- |
|
Y ts |
转移准入 |
我 D =200毫安 V DS = 10V |
100 | 200 | - | - |
| C iss | 输入电容 |
V DS = 10V V GS = 0 f = 1MHz
|
- | 25 | 40 | PF |
| C oss | 输出电容 |
V DS = 10V V GS = 0 f = 1MHz |
- | 22 | 三十 | PF |
| C rss | 反馈电容 |
V DS = 10V V GS = 0 f = 1MH |
- | 6 1 0 |
|
PF |