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MMBTA44
TRANSISTOR (NPN) （NPN晶体管）
FEATURES（特性）：
High Collector-Emitter Voltage（Collector-Emitter高电压）
Complement to MMBTA94（充MMBTA94）
MARKING：3D(标记：3D)
针脚：
：
1. BASE（基地）
2. EMITTER（发射器）
3. COLLECTOR（收集器）
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) ：
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 400 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current-Continuous 200 mA
ICm Collector Current -Pulsed 300 mA
PC Collector Power Dissipation 350 mW
RΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 357 ℃/W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55～+150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) :
*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. (*脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,工作周期≤2.0%。)
Typical Characteristics(典型的特征):
